全球最大的存储厂商三星宣布已开始量1Tb QLC（四层单元）第九代V-NAND芯片。这是全球第一家使用这项新技术开始量产存储芯片的公司。

继2024年4月制造出全球首款TLC（三层单元）第九代V-NAND芯片后，三星已开始量产QLC第九代V-NAND存储芯片。TLC指的是每个存储单元能存储三位数据，而QLC可以存储四位数据。

凭借这一举措，三星巩固了其在高容量和高性能存储芯片领域的领导地位。为了实现这一目标，三星推出了多项新技术和新工艺，包括通道孔蚀刻、设计模具、低功耗设计和预测程序。

通道孔蚀刻：该技术用于堆叠模具层，然后创建一个孔（通道孔），电子可以一次通过该孔移动。这种双层堆叠结构带来了更高的存储密度。与上一代QLC技术相比，其位密度提高86%。

设计模具：控制操作单元的字线（WL：控制晶体管开启和关闭状态的布线）的间距，并将它们层压以优化和统一单元。它通过将数据保留率提高20%来提高可靠性。

预测程序：预测单元状态的变化并最大限度地减少不必要的单元操作。利用这项技术，三星分别将读取和写入数据时的功耗降低30%和50%。

三星计划未来使用这些QLC V-NAND闪存芯片来制造消费级和服务器SSD以及用于移动设备的UFS存储。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“在TLC版本推出仅四个月后，QLC第9代V-NAND成功量产，这使我们能够提供全系列先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求。随着企业级SSD市场快速增长，对AI应用的需求不断增强，我们将继续通过QLC和TLC第9代V-NAND巩固我们在该领域的领先地位。”